第四代半导体氧化镓，浙大杭州科创中心新技术路线制备 2 英寸晶圆

近日，在首席科学家杨德仁院士的带领下，浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院发明了全新的熔体法技术路线来研制氧化镓体块单晶以及晶圆，目前已经成功制备直径 2 英寸（50.8 mm）的氧化镓晶圆。

浙大杭州科创中心消息显示，使用新技术路线生长的氧化镓晶圆有两个显著优势，一是使用这种方法生长出的氧化镓晶圆的晶面具有特异性，使得制作的功率器件具有较好的性能；二是由于采用了熔体法新路线，减少了贵金属铱的使用，使得氧化镓生长过程不仅更简单可控，成本也更低，具有更大的产业化前景。

此外，该团队计划在 2 年内制造出直径 4 英寸级别的大尺寸氧化镓晶圆，进一步助力国内氧化镓材料的产业发展。